[发明专利]以光微影结构化半导体基板的光罩的制造方法

摘要

本发明乃涉及一种制造用于结构化半导体的光罩的方法，其中，一包括一具有含硅基团的高分子的阻剂乃被使用，而在一含氧电浆进行结构化的期间，该等硅原子会被转换成为二氧化硅，以保护配置在该二氧化硅下方的吸收剂部分不受该电浆移除的影响。

主权项

1.一种制造用于光微影的光罩的方法，其包括下列步骤：提供一透明基板；在该透明基板之上沉积一第一吸收剂材质层；将一用于电子束微影的阻剂层施加于该第一层之上，其中，该阻剂至少包括：一膜形成(film-forming)高分子，其包括硅原子；以及一溶剂；蒸发包含在该阻剂中的该溶剂，以形成一包含该膜形成高分子的第二层：藉由一已聚焦电子束而对该第二层执行写入，因而使得包括已曝光以及未曝光部分的一影像会被产生于该第二层之中；将会溶解该影像的该已曝光部分的一显影剂添加至该第二层之上，以获得具有一结构的一已结构化阻剂，而在其中，该等未曝光部分会形成岛块，而该等已曝光部分会形成配置在该等岛块之间的沟渠；以及将该已结构化阻剂的该结构转移进入该第一吸收剂材质层中。