[发明专利]用于半导体工艺监视和控制的红外热电堆检测器系统无效
| 申请号： | 03810450.4 | 申请日： | 2003-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN1653588A | 公开（公告）日： | 2005-08-10 |
| 发明（设计）人： | 乔斯·阿尔诺 | 申请（专利权）人： | 高级技术材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 钟强;谷惠敏 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于监视和/或控制半导体工艺的基于热电堆的检测器，以及一种监视和/或控制半导体工艺的方法，其使用基于热电堆测定工艺中的条件和/或影响该工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 工艺 监视 控制 红外 热电 检测器 系统 | ||
【主权项】：
1.一种半导体工艺系统，包括用于工艺气体流量的流量电路，所述系统包括：用于工艺气体的气体采样区域；红外辐射源，其被构建和设置成用以发射红外辐射通过气体采样区域；热电堆检测器，其被构建和设置成用以在红外辐射的传输通过气体采样区域后接收该红外辐射，并且作出响应产生与工艺气体的至少一个所选组分的浓度相关的输出信号；和工艺控制装置，其被设置成用以接收热电堆检测器的输出，并且作出响应控制一个或者多个半导体工艺系统中的工艺条件和/或影响该半导体工艺系统。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
