[发明专利]校准和使用半导体处理系统的方法无效
| 申请号： | 03803764.5 | 申请日： | 2003-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN1630941A | 公开（公告）日： | 2005-06-22 |
| 发明（设计）人： | J·R·瓦图斯;D·K·卡尔森;A·V·萨莫伊洛夫;L·A·斯卡德;P·B·科米塔;A·A·卡尔帕蒂 | 申请（专利权）人： | 应用材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种避免高温计温度读取错误的方法。上部高温计用于检测来自在标准处理条件下形成在测试基底上的测试层的红外辐射。来自测试层的红外辐射具有周期，该周期的长度表示该层的生长速率。该周期一般与生长速率成反比。则生长速率直接与温度有关。 | ||
| 搜索关键词： | 校准 使用 半导体 处理 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：测量测试层的测试变量，该测试层形成于处理腔中的测试基底上；使用该测试变量，以相对于参考处理变量，而在参考变量的统一数据集中选择一种参考处理条件，所述参考处理条件在所述参考变量中的位置取决于所述测试变量在所述参考变量中的位置；和在处理腔中的处理基底上形成处理层，用以形成该处理层的处理变量是以所述参考处理条件为基础的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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