[实用新型]使用多导电层作为P型氮化镓欧姆接触的透明电极结构无效
| 申请号： | 03257248.4 | 申请日： | 2003-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN2694475Y | 公开（公告）日： | 2005-04-20 |
| 发明（设计）人： | 洪瑞华;武东星;连亦中;蓝厚道;胡荣章;程亚桐 | 申请（专利权）人： | 洪瑞华 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京万科园知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 张亚军;陈宪忠 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型是关于一种使用多导电层作为P型氮化镓欧姆接触的透明电极结构，尤指一种可提供高透明度、且能促进电流均匀分散的P型氮化镓欧姆接触的透明电极，其主要是在P型氮化镓(GaN)的磊晶层上凭借物理气相沉积(PVD)方式形成半透明金属膜的第一导电层及至少一层金属氧化物透明导电膜的第二导电层，并利用热处理方式，改善氮化镓与导电层的介面特性，以及导电层的光穿透率，而达到提供良好的欧姆接触及促进电流均匀分散到电极表面的作用，据此应用于蓝光发光二极体(LED)及雷射二极体(LD)等短波长的发光元件上，而能有效提高发光元件的操作效率与寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 导电 作为 氮化 欧姆 接触 透明 电极 结构 | ||
【主权项】：
1.一种使用多导电层作为P型氮化镓欧姆接触的透明电极结构，其特征在于：包括有：一P型氮化镓磊晶层；一第一导电层，该第一导电层是由半透明金属薄膜所构成，其是制设在磊晶层上，第一导电层的光穿透率大于70％，且直接与磊晶层形成欧姆接触；至少一第二导电层，该第二导电层是由金属氧化物透明导电膜所构成，其是叠置地制设在第一导电层上，并具有透光性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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