[实用新型]半导体光源无效
| 申请号： | 03205318.5 | 申请日： | 2003-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN2643486Y | 公开（公告）日： | 2004-09-22 |
| 发明（设计）人： | 孙宗鼎;廖宏达;陈志明;王淑汶 | 申请（专利权）人： | 艾笛森光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤;楼仙英 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体光源，包含一蓝光二极管；至少一沟渠形成在该发光二极管上，且深度超越发光二极管的一发光层，以将该发光二极管切割成至少两个发光部分；一荧光体层，覆盖在一发光部分上，并填入该沟渠之内。覆盖有荧光体层发光部分所发出的蓝光可以为荧光体层完全吸收并转换为黄光，黄光与剩余发光部分的蓝光混合而得到白光，由分别控制不同发光部分的驱动电流，即可调配蓝光与黄光比例，混合出预定色温的白光。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 光源 | ||
【主权项】：
1、一种半导体光源，其特征在于，包含：一发光二极管；至少一沟渠，形成在该发光二极管上，且深度超越该发光二极管的一发光层，该发光二极管由该沟渠切割成至少两个发光部份；一荧光体层，覆盖在一发光部份上，并填入该沟渠之内；其中覆盖有荧光体层的发光部分所发出的蓝光可以为荧光体层完全吸收并转换为黄光。
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