[发明专利]半导体光调制器和具有光调制器的激光器有效
| 申请号： | 03158879.4 | 申请日： | 2003-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN1490644A | 公开（公告）日： | 2004-04-21 |
| 发明（设计）人： | 松冈隆志;深野秀树 | 申请（专利权）人： | 日本电信电话株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/025 | 分类号： | G02F1/025;G02B6/12;G02B6/42;H01S3/10;H04B10/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在本发明的半导体光调制器中，用作光吸收层的量子阱结构的每个量子阱层和每个势垒层分别由In1－X－YGaXAlYN(0≤X，Y≤1，0≤X+Y≤1)和In1－X′－Y′GaX′AlY′N(0≤X′，Y′≤1，0≤X′+Y′≤1)构成。通过自发极化，在光吸收层中产生电场。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 调制器 有光 激光器 | ||
【主权项】：
1、一种半导体光调制器，其特征在于至少包括：第一导电型的下包层(104，1102)；光吸收层(105，1104)，形成在所述下包层之上，并具有由量子阱层(152)和势垒层(151)构成的量子阱结构；以及形成在所述光吸收层之上的第二导电型的上包层(106，1106)，其中，所述量子阱层由In1-X-YGaXAlYN(0≤X，Y≤1，0≤X+Y≤1)制成，所述势垒层由In1-X′-Y′GaX′AlY′N(0≤X′，Y′≤1，0≤X′+Y′≤1)制成，而且由所述下包层、所述光吸收层和所述上包层构成了具有光入射端的光波导。
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