[发明专利]降低沉积反应室腔体内氟残留的方法无效
| 申请号： | 03155693.0 | 申请日： | 2003-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN1590582A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 林辉巨 | 申请（专利权）人： | 统宝光电股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/00 | 分类号： | C23C16/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 宋莉;贾静环 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种降低沉积反应室腔体内氟残留的方法，包括下列步骤：(a)提供沉积反应装置，沉积反应装置包括沉积反应室腔体、远端电浆产生器、及射频功率产生器，远端电浆产生器以第一管线与沉积反应室腔体耦接，射频功率产生器与沉积反应室腔体电性耦接；(b)通入含氟气体至远端电浆产生器以产生含氟电浆，经由第一管线自远端电浆产生器导入含氟电浆至沉积反应室腔体；及(c)通入含氢气体至远端电浆产生器以产生含氢电浆，经由第一管线自远端电浆产生器导入含氢电浆至沉积反应室腔体，并启动射频功率产生器。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 沉积 反应 体内 残留 方法 | ||
【主权项】：
1.一种降低沉积反应室腔体内氟残留的方法，包括下列步骤：(a)提供沉积反应装置，该沉积反应装置包括沉积反应室腔体、远端电浆产生器，该远端电浆产生器以管线与该沉积反应室腔体耦接；(b)通入含氟气体至该远端电浆产生器，且启动该远端电浆产生器以产生含氟电浆，并经由该管线自该远端电浆产生器导入该含氟电浆至该沉积反应室腔体；及(c)通入含氢气体至该远端电浆产生器，且启动该远端电浆产生器以产生含氢电浆，并经由该管线自该远端电浆产生器导入该含氢电浆至该沉积反应室腔体。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
