[发明专利]借助晶体管从光电二极管读取信号的半导体器件有效
申请号: | 03155356.7 | 申请日: | 2003-08-27 |
公开(公告)号: | CN1490879A | 公开(公告)日: | 2004-04-21 |
发明(设计)人: | 大川成实 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 潘培坤;楼仙英 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 以矩形设置在半导体衬底上的多个像素。每个像素包括:光电二极管、复位晶体管、源跟随器晶体管,以及选择晶体管。其中设置光电二极管和各晶体管的有源区包括:其中设置光电二极管的第一区,以及在第一方向中具有延伸部分第二区。复位晶体管、源跟随器晶体管以及选择晶体管的每个栅极跨越第二区域的在第一方向中延伸的区域。像素内布线互连复位晶体管的漏区和源跟随器晶体管的栅电极。 | ||
搜索关键词: | 借助 晶体管 光电二极管 读取 信号 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:以矩阵形设置在半导体衬底上的多个像素;其中:每个像素包括光电二极管、复位晶体管、源跟随器晶体管以及选择晶体管;光电二极管包括在厚度方向中叠置的第一导电类型的杂质扩散区和第二导电类型的杂质扩散区;每个复位晶体管、源跟随器晶体管以及选择晶体管包括形成在半导体衬底的表面层中的第一导电类型的一对杂质扩散区,形成在杂质扩散区之间的沟道区以及形成在沟道区上的栅电极;光电二极管、复位晶体管、源跟随器晶体管以及选择晶体管设置在一个有源区中;有源区包括设置光电二极管的第一区以及第二区,第二区具有与第一区连续的第一端并包括沿第一方向延长的区域;以及复位晶体管、源跟随器晶体管以及选择晶体管的每个栅电极跨越沿第一方向延伸的第二区的区域、在背离第一端的方向中依次设置复位晶体管的栅电极和第二区之间的交叉区、源跟随器晶体管的栅电极和第二区之间的交叉区以及选择晶体管的栅电极和第二区之间的交叉区、用于互连第一端一侧上复位晶体管的杂质扩散区和像素的源跟随器晶体管的栅电极的像素内布线;复位电压供给线,连接到复位晶体管的栅电极和源跟随器晶体管之间的杂质扩散区,并施加有将初始反偏置电压施加到光电二极管的复位电压;将复位信号施加到复位晶体管栅电极的复位信号线;设置用于每个像素行的选择信号线,选择信号线将选择信号施加到对应行中像素的选择晶体管的栅电极;以及信号读取线,设置用于像素的每列,并在第一端的相反侧连接到对应列中像素的选择晶体管的杂质扩散区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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