[发明专利]缩小半导体组件的单元间距的方法有效
| 申请号： | 03153664.6 | 申请日： | 2003-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN1585087A | 公开（公告）日： | 2005-02-23 |
| 发明（设计）人： | 赖俊仁 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种缩小半导体组件的单元间距的方法，此方法先在一个基板上形成垫氧化层，并在这个垫氧化层上形成氮化硅层，接着在这个氮化硅层上形成修剪过的光阻层，再用此光阻层作为罩幕以蚀刻氮化硅层。之后移除此光阻层直到氮化硅层被完全暴露出来，并将垫氧化层上曝露出的部分移除直到暴露出一部分的基板。然后在基板上所暴露出的部分形成闸氧化层，接着在氮化硅层上沉积多晶质层，并蚀刻此多晶质层以形成复数个多晶质闸极，最后再移除氮化硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 缩小 半导体 组件 单元 间距 方法 | ||
【主权项】：
1.一种缩小半导体组件的单元间距的方法，包括：提供具有复数个图案的一基板，且这些特征图案包括一第一材质；于该基板及这些图案上形成一层，且该层包括一第二材质；移除在这些图案上表面上的该层，使这些图案暴露出来；以及移除这些图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
