[发明专利]一种氮和铟共掺杂制备空穴型氧化锌薄膜的方法无效
| 申请号： | 03151096.5 | 申请日： | 2003-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN1527361A | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | 边继明;李效民;高相东;于伟东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/40 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 20005*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及用喷雾热解法，通过氮和铟的共掺杂，制备空穴型氧化锌薄膜材料的方法。在本方法中，通过向先驱体溶液中添加适量的含氮和含铟掺杂剂，在不同的材料表面上，经超声雾化热解反应制备空穴型氧化锌薄膜Zn2+∶NH4+∶In3+＝1∶(1－3)∶(0.05－0.2)；所用衬底为单晶硅片、玻璃片或蓝宝石；衬底温度控制在400～600℃。通过控制先驱体溶液浓度及配比、衬底温度、成膜气氛及雾化气量可实现对空穴型氧化锌薄膜电学性能和载流子浓度的控制，以满足制备氧化锌半导体材料和氧化锌基发光二极管(LEDs)，激光二极管(LDs)等光电子器件方面的需要。该法工艺简单易行，成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 制备 空穴 氧化锌 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮和铟元素共掺杂制备p-型氧化锌薄膜的方法，其特征在于采用溶液喷雾热解法，其特征在于包括先驱体溶液的配制和氧化锌薄膜的沉积二个过程，先驱体溶液中Zn2+∶NH4+∶In3+＝1∶1-3∶0.05-0.2，先驱体溶液经超声雾化，雾化后的气体经由气液分离管进入成膜室，在加热衬底表面热解沉积成p-型氧化锌薄膜，衬底温度控制在400-600℃，衬底可以选择单晶硅片、玻璃片或蓝宝石。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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