[发明专利]半导体发光元件，其制造方法及安装方法无效
| 申请号： | 03148730.0 | 申请日： | 2003-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN1476108A | 公开（公告）日： | 2004-02-18 |
| 发明（设计）人： | 上田哲三;油利正昭 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体发光元件、其制造方法及安装方法，目的在于：使由化合物半导体特别是GaN系半导体制成的半导体发光元件的散热性良好，增大它的静电耐压，提高它的发光效率，减少它的串联电阻。发光二极管元件(10)中有包含导电型各不相同的至少两层半导体层的元件构成体(11)，在该元件构成体(11)上形成有由ITO制成的透光性p侧电极(15)，在该p侧电极(15)上的一部分区域形成有焊接垫(16)。在元件构成体(11)的与p侧电极15相反一侧的那个面上形成有由Ti/Au制成的n侧电极(17)，还形成有以n侧电极(17)的Au层为底层、厚度约50μm、利用镀金法制成的金属膜(18)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 制造 方法 安装 | ||
【主权项】：
1、一种半导体发光元件，其中：包含：具有导电型各不相同的至少两层半导体层的半导体叠层膜、形成在所述半导体叠层膜的一个面上的第一电极、形成在所述半导体叠层膜的所述一个面的对面上的第二电极、以及所形成的与所述第一电极或者所述第二电极相接触且其膜厚比所述半导体叠层膜的膜厚厚或者一样厚的金属膜。
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