[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 03148298.8 | 申请日： | 2003-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN1471174A | 公开（公告）日： | 2004-01-28 |
| 发明（设计）人： | 秋山直人 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/02;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括多个晶体管，其中，在放置在相同衬底上、以来自相同电源的电压进行操作、每个都具有独立设置的薄膜厚度的栅极绝缘层的多个晶体管中，选择所述晶体管中具有最薄栅极绝缘层的一个晶体管用作电源保护元件。同样，设置被选作电源保护元件的晶体管的阈值电压比同样具有最薄栅极绝缘层的其他晶体管高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：衬底；以及多个晶体管，在所述衬底上形成所述多个晶体管，以由相同电源产生的电压进行操作，所述每个晶体管具有栅极绝缘层，而且所述多个晶体管包括其厚度互不相同的晶体管，其中选择所述多个晶体管中具有最薄的栅极绝缘层的一个晶体管，用作电源保护元件。
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