[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 03142593.3 | 申请日： | 1997-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN1474452A | 公开（公告）日： | 2004-02-11 |
| 发明（设计）人： | 平野博茂;本多利行 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是在强电介质存储器件中，可以缓和构成强电介质电容器110a1～110a3，110b1～110b3的下部电极111a，111b及该下部电极的热应力对在其上边形成的强电介质层113的影响，并以此来抑制连接到上述下部电极上的其它的布线106a1、106a2等因该下部电极的热应力而产生断线或者下部电极加在上述强电介质层上的热应力而引起的强电介质电容器的特性离散或特性变动。其方案是把上述下部电极111a和111b做成为如下的构造：在多个部位进行弯曲使得其平面形状变成为锯齿状，而且，分割成多个布线部分111a1、111a2和111b1、111b2。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于：包括：沿第一方向延伸并把与该第1方向垂直的第2方向作为布线宽度方向的、内部产生应力的第1布线；和与该第1布线电连接，受该第1布线的应力影响的、形成在与该第1布线不同的层上的第2布线；所述第2布线在与所述第1布线连接的端部或其附近弯曲成与相对于所述第1方向形成给定角度的方向平行。
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