[发明专利]近化学计量比铌酸锂晶片的制备方法无效
| 申请号： | 03141523.7 | 申请日： | 2003-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN1475609A | 公开（公告）日： | 2004-02-18 |
| 发明（设计）人： | 徐军;王海丽;周圣明;张连翰;杭寅;周国清;赵广军;司继良 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B31/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种近化学计量比铌酸锂晶片(SLN)的制备方法，其特点是采用反质子交换反应加热炉进行，先将用K2O助熔剂提拉技术生长的LiNbO3晶片双面抛光，然后将其浸入置于反质子交换反应加热炉中含Li离子的混合熔体中，混合熔体中的Li离子将取代K离子进入晶体中，部分K离子从晶体中扩散出来，进而提高晶片中Li2O的含量；所述的含Li离子的混合熔体为KNO3、NaNO3和LiNO3组成的硝酸盐混合熔体，其交换温度为：300－350℃，交换时间根据情况选择：0.5－15小时。本发明简单易操作，适宜批量生产，从而提高晶体的[Li]/[Nb]的比例＞49.9mol％。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 计量 铌酸锂 晶片 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种近化学计量比铌酸锂晶片的制备方法，其特征是采用反质子交换反应加热炉进行，先将用K2O助熔剂提拉技术生长的LiNbO3晶片双面抛光，然后将其浸入置于反质子交换反应加热炉中含Li离子的混合熔体中，混合熔体中的Li离子将取代K离子进入晶体中，部分K离子从晶体中扩散出来，进而提高晶片中Li2O的含量；所述的含Li离子的混合熔体为KNO3、NaNO3和LiNO3组成的硝酸盐混合熔体，其中，硝酸盐混合熔体中KNO3和NaNO3的浓度比为1∶1，而KNO3和LiNO3的浓度比为1∶(0.1-1)；其交换温度为：300-350℃，交换时间为：0.5-15hr。
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