[发明专利]采用原子层沉积工艺在基片上形成二氧化硅层的方法

摘要

本发明公开了一种用催化剂辅助的原子层沉积(ALD)工艺的改进方法，同时还公开了相关的吹扫方法和吹扫程序。所述改进方法通过采用具有至少两个硅原子的硅化合物作为第一反应物，或者采用一种脂族叔胺作为催化剂组分，也可以二者结合使用而在一半导体基片上形成一具有优良性能的二氧化硅层。

主权项

1.一种用于在半导体应用的基片表面上形成二氧化硅层的方法，该方法采用催化剂辅助的原子层沉积工艺，包括至少以下连续步骤：将官能化基片表面曝露于主要由第一反应物和第一催化剂组成的第一混合物中，然后将所述表面曝露于主要由第二反应物和第二催化剂组成的第二混合物中，以在基片表面上形成二氧化硅单分子层，其改进之处在于包括下述一个或多个：(a)采用主要由选自具有至少两个硅原子的硅化合物中的至少一种成员组成的第一反应物；(b)采用主要由选自脂族叔胺化合物中的至少一种成员组成的第一催化剂；(c)采用主要由选自具有至少两个硅原子的硅化合物中的至少一种成员组成的第一反应物，同时采用主要由选自脂族叔胺化合物中的至少一种成员组成的第一催化剂。