[发明专利]芯片在薄膜上的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 03132660.9 | 申请日： | 2003-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1497689A | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | 濑古敏春 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L23/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰;梁永 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 按照本发明，COF半导体器件的制造方法包括：步骤(A)，对在其表面上设置了多个布线图形的绝缘带的表面涂敷绝缘树脂成分；步骤(B)，在绝缘树脂成分尚未固化的条件下可通过加压使半导体元件与布线图形接触；以及步骤(C)，借助于使绝缘树脂成分固化，将半导体元件固定到布线图形上，从而进行电连接，其中，COF半导体器件的制造方法还包括步骤(D)，在涂敷绝缘树脂成分之前、之中和/或之后，从背面一侧对绝缘带进行预热。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 薄膜 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种COF半导体器件的制造方法，它包括：步骤(A)，对在其表面上设置了多个布线图形的绝缘带的表面涂敷绝缘树脂成分；步骤(B)，在绝缘树脂成分尚未固化的条件下可通过加压使半导体元件与布线图形接触；步骤(C)，借助于使绝缘树脂成分固化，将半导体元件固定到布线图形上，从而进行电连接；以及步骤(D)，在涂敷绝缘树脂成分之前、之中和/或之后，从背面一侧对绝缘带进行预热。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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