[发明专利]有内置光接收元件的半导体器件、制造方法及光学拾波器有效
| 申请号： | 03122661.2 | 申请日： | 2003-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN1447441A | 公开（公告）日： | 2003-10-08 |
| 发明（设计）人： | 福岛稔彦;夏秋和弘;瀬户山孝男;浅野佑次;加藤盛央 | 申请（专利权）人： | 夏普公司;富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14;H01L31/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波,侯宇 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种具有内置光接收元件的半导体器件的制造方法。该器件包括用于接收光信号和将光信号转换成电信号的光接收元件区域，该光接收元件区域设置在衬底上。该方法包括以下步骤：在衬底上的光接收元件区域中形成防反射膜，并形成保护膜，该保护膜用作后来刻蚀步骤中的刻蚀阻挡膜。 | ||
| 搜索关键词： | 内置 接收 元件 半导体器件 制造 方法 光学 拾波器 | ||
【主权项】：
1.一种具有内置光接收元件的半导体器件的制造方法，其中该器件包括用于接收光信号和将光信号转换成电信号的光接收元件区域，该光接收元件区域设置在衬底上，该方法包括以下步骤：在衬底上的光接收元件区域中形成防反射膜；和形成保护膜，该保护膜用作后来刻蚀步骤中的刻蚀阻挡膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
