[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号: | 03120430.9 | 申请日: | 2003-03-14 |
| 公开(公告)号: | CN1461050A | 公开(公告)日: | 2003-12-10 |
| 发明(设计)人: | 斎藤信勝;南澤正栄;米田義之;清水敦和;今村和之;菊池敦;岡本九弘;渡边英二 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L23/12 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李德山 |
| 地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法,尤其是提供了一种采用布线衬底的半导体器件制造方法,该方法可以便于布线衬底的操纵。该方法包括以下步骤:在硅衬底上形成可剥离树脂层;在所述可剥离树脂层上形成布线衬底;将半导体芯片安装在所述布线衬底上;通过用密封树脂密封所述多个半导体芯片来形成半导体器件;通过从密封树脂侧将这些半导体器件切分但是保留硅衬底来使这些半导体器件个体化;将每个个体化半导体器件在所述硅衬底和可剥离树脂层之间从硅衬底上剥离;并且通过形成穿过可剥离树脂层的孔或者通过除去可剥离树脂层来使布线衬底上的端子暴露。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种采用布线衬底的半导体器件制造方法,该方法包括以下步骤:a)在硅衬底上形成一层可剥离树脂层,该可剥离树脂层相对于硅衬底的粘附性较低,并且可以很容易从所述硅衬底剥离;b)在所述可剥离树脂层上形成布线衬底;c)在所述布线衬底上安装多个半导体芯片;d)通过用密封树脂密封所述多个半导体芯片来形成半导体器件;e)通过从密封树脂侧切分这些半导体器件但是保留所述硅衬底从而使这些半导体器件个体化;f)从所述硅衬底将每个个体化的半导体器件剥离,从而使所述硅衬底与所述可剥离树脂层分开;并且g)通过形成贯穿所述可剥离树脂层的孔或通过除去该可剥离树脂层来使设在布线衬底上的端子暴露出来。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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