[发明专利]半导体器件及其制法、SOI衬底及其制法和其显示器件无效
| 申请号： | 03108532.6 | 申请日： | 2003-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1450649A | 公开（公告）日： | 2003-10-22 |
| 发明（设计）人： | 高藤裕;糸贺隆志 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明,梁永 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 多晶硅薄膜和单晶硅薄膜被制作在淀积于绝缘衬底上的二氧化硅膜上。用对非晶硅薄膜进行热晶化的方法来生长多晶硅层，以便形成多晶硅薄膜。(a)其上具有二氧化硅膜和(b)其中具有氢离子注入部分的单晶硅衬底，被键合到已经经受过腐蚀清除的多晶硅薄膜区域，并经受加热过程。然后，以脱落的方式，在氢离子注入部分处分离单晶硅衬底，以便形成单晶硅薄膜。结果，有可能以低的成本提供性质稳定的具有单晶硅薄膜的大尺寸半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制法 soi 衬底 显示 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，它包含提供在绝缘衬底的不同区域上的多晶硅薄膜和单晶硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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