[发明专利]存储器结构

摘要

一种存储结构，它包括：第一电极(35、835、135、335、435、635)；第二电极(37、27、139a、139b、339a、339b、439a、439b、639a、639b)；第三电极(33、833、133、141、333、341、433、441、633、641)；设置在第一电极和第二电极之间的预定器件类型的控制元件(25)；以及设置在第二电极和第三电极之间的预定器件类型的存储器存储元件(23)。所述存储器存储元件的截面面积小于所述控制元件的截面面积。

主权项

1.一种存储器结构，它包括：第一电极(35、835、135、335、435、635)；第二电极(37、27、139a、139b、339a、339b、439a、439b、639a、639b)；第三电极(33、833、133、141、333、341、433、441、633、641)；预定器件类型的存储器存储元件(23)，它设置在所述第三电极和所述第二电极之间，所述存储器存储元件具有存储器存储元件截面面积并配置成作为存储器存储元件可预期击穿；预定器件类型的控制元件(25)，它设置在所述第二电极和所述第一电极之间，所述控制元件具有控制截面面积并配置成用于所述存储器存储元件的控制元件；以及所述控制元件的截面面积大于所述存储器存储元件的截面面积。