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- [发明专利]存储器的存储装置-CN03143084.8有效
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A·L·范布罗克林;P·弗里克
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惠普公司
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2003-06-23
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2004-01-21
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H01L27/10
- 存储器的存储装置(10)包括第一和第二存储器单元(14),每个存储器单元具有顶端和底端。第一和第二第一维导体(16)基本上共面并平行且在第一维上延伸。第一第一维导体与第一存储器单元的底端相交,第二第一维导体与第二存储器单元的顶端相交。第一第二维导体(18)在第二维上延伸并与第一存储器单元的顶端相交,第二第二维导体在第二维上延伸并与第二存储器单元的底端相交。在第三维上延伸的第一第三维导体(32,34)位于第一和第二存储器单元之间以便将第一第二维导体耦合到第二第二维导体。
- 存储器存储装置
- [发明专利]存储器结构-CN03107797.8无效
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P·弗里克;A·科尔;J·斯塔西尔克;A·L·范布罗克林
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惠普公司
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2003-04-02
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2003-10-29
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H01L27/10
- 一种存储结构,它包括:第一电极(35、835、135、335、435、635);第二电极(37、27、139a、139b、339a、339b、439a、439b、639a、639b);第三电极(33、833、133、141、333、341、433、441、633、641);设置在第一电极和第二电极之间的预定器件类型的控制元件(25);以及设置在第二电极和第三电极之间的预定器件类型的存储器存储元件(23)。所述存储器存储元件的截面面积小于所述控制元件的截面面积。
- 存储器结构
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