[发明专利]电子电路

摘要

一种在绝缘基片上形成的电子电路，它具有由半导体层构成的薄膜晶体管(TFTS)。半导体层的厚度小于1500，例如在100－750之间。在半导体层上形成主要由钛和氮构成的第一层。在所说的第一层上面形成由铝构成的第二层。将此第一和第二层按一定图形刻蚀成导电互连线。此第二层的下表面实质上完全与第一层紧密接触。互连线与该半导体层有良好的接触。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于包括：一周边电路，它设置在基片之上；和一有源矩阵电路，它设置在所述基片之上，所述周边电路包括：第一半导体层，它设置在所述周边电路的基片之上，并具有第一沟道区、第一轻掺杂区和比所述第一轻掺杂区有更高导电性的第一区；以及第一栅极，它设置在所述第一沟道区附近，且在它们之间有第一栅绝缘膜，其中，所述第一轻掺杂区具有一个与所述第一栅极叠置的区域并有一个未与所述第一栅极叠置的区域，以及比所述第一轻掺杂区有更高导电性的所述第一区设置在所述第一轻掺杂区的相对于所述沟道区的一侧，以及所述有源矩阵电路包括：第二半导体层，它设置在所述有源矩阵电路的所述基片之上，并具有第二沟道区、第二轻掺杂区和比所述第二轻掺杂区有更高导电性的第二区；第二栅极，它设置在所述第二沟道区附近，且在它们之间有第二栅绝缘膜；以及一象素电极，它设置在所述基片上并与比所述第二轻掺杂区有更高导电性的所述第二区连接，所述第二轻掺杂区未与所述第二栅极叠置。