[发明专利]非易失性存储单元及其制造方法

摘要

一种非易失性存储单元，每个对称存储单元包括一基底、一穿遂氧化层、二浮置栅极、一介电层、多个间隙壁、一控制栅极、以及二分离栅极。其中，基底中至少形成有二源极与一介于二源极之间的漏极；穿遂氧化层形成于基底上；浮置栅极形成于穿遂氧化层上，且二浮置栅极分别介于漏极与二源极之间；介电层形成于二浮置栅极上；间隙壁分别形成于二浮置栅极的两侧壁；控制栅极形成于漏极上方，并位于二浮置栅极之间；二分离栅极分别位于二浮置栅极的外侧，以分别透过各浮置栅极与控制栅极相对而设。另外，本发明还提供一种上述非易失性存储单元的制造方法。

主权项

1.一种非易失性存储单元，其特征在于包含：一基底，它至少形成有一漏极与二源极，该漏极介于这些源极之间；一穿遂氧化层，它形成于该基底上；二浮置栅极，它形成于该穿遂氧化层上，且分别介于该漏极与这些源极之间；一介电层，它形成于这些浮置栅极上；多个间隙壁，它分别形成于这些浮置栅极的两侧壁；一控制栅极，它形成于该漏极上方，并位于这些浮置栅极之间；以及二分离栅极，它形成于该穿遂氧化层上，且分别位于这些浮置栅极的一侧以分别与该控制栅极相对而设。