[发明专利]闪存元件的结构及其制造方法

摘要

一种闪存元件的结构，此闪存元件是由具有一开口的P型基底、设置于P型基底中的深N型阱区、分别设置于开口侧壁的第一栅极结构与第二栅极结构、设置于第一栅极结构与第二栅极结构之间的间隙的绝缘层、设置于开口底部的P型基底中的源极区、设置于开口顶部的P型基底中的漏极区、设置于深N型阱区中的P型阱区，且P型阱区与深N型阱区的接面高于开口底部与设置于开口侧壁的P型基底中的P型口袋掺杂区，且P型口袋掺杂区连接P型阱区与源极区。

主权项

1、一种闪存元件的结构，其特征在于：包括：一第一导电型基底，该第一导电型基底具有一开口；一第二导电型第一阱区，设置于该第一导电型基底中；一第一栅极结构与一第二栅极结构，分别设置于该开口侧壁；一绝缘层，设置于该第一栅极结构与该第二栅极结构之间的间隙；一源极区，设置于该开口底部的该第一导电型基底中；一漏极区，设置于该开口顶部的该第一导电型基底中；一第一导电型第二阱区，设置于该第二导电型第一阱区中，且该第一导电型第二阱区与该第二导电型第一阱区的接面高于该开口底部；以及一第一导电型口袋掺杂区，设置于该开口侧壁的该第一导电型基底中，且该第一导电型口袋掺杂区连接该第一导电型第二阱区与该源极区。