[发明专利]含有中孔二氧化硅层的电子器件及制备该中孔二氧化硅层的组合物无效
| 申请号： | 02818135.2 | 申请日： | 2002-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN1555342A | 公开（公告）日： | 2004-12-15 |
| 发明（设计）人： | A·R·巴科内德;F·K·德特杰;J·C·克里格 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B37/02 | 分类号： | C01B37/02;H01L21/316 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘继富;杨九昌 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 通过在衬底上施加含有烷氧基硅烷、表面活性剂和溶剂的组合物，并且随后除去表面活性剂和溶剂可以获得具有中孔二氧化硅层的电子器件。如果该组合物含有四烷氧基硅烷特别是四乙氧基原硅酸酯(TEOS)和芳基取代的烷氧基硅烷特别是苯基取代的、甲基取代的或者是烷基取代的三烷氧基硅烷的混合物，则不需要传统的去羟基化处理。如果两种硅烷的摩尔比大约为1∶1，则可以获得介电常数为2.5或者更小的层。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 二氧化硅 电子器件 制备 组合 | ||
【主权项】：
1.一种电子器件，其含有在衬底的一个面上提供包含二氧化硅的中孔层，该中孔层可以通过在衬底上施加含有四烷氧基硅烷、芳基取代的或者是烷基取代的烷氧基硅烷、表面活性剂和溶剂的组合物的液体层而获得，其中四烷氧基硅烷与芳基取代的或烷基取代的烷氧基硅烷之间的摩尔比最大为3∶1，并且通过除去该液体层中的表面活性剂和溶剂，从而形成了疏水性的中孔层。
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