[发明专利]提供用于半导体晶片的真空紫外波长平面发光图形的可调辐射源

摘要

根据本发明构成的辐射源特别适用于加工半导体晶片。本发明的一个示例性实施方案包括具有二维表面的基电极，它界定辐射发射区的一侧。可离子化的准分子气体存在于辐射发射区中。当被激励时，此准分子气体发射UV和/或VUV波长的辐射。二维电介质辐射透射层界定辐射发射区的反侧，并使辐射投射到晶片处理区。排列在电介质辐射透射层与保护性辐射透射窗口之间的是二维矩阵电极或屏电极，用来确定一个通常平行于基电极区的二维表面的平面。电源耦合到基电极和矩阵电极，以便激励这些电极和准分子气体，引起UV和/或VUV辐射的发射。利用排列在保护性窗口附近的用来阻挡发射的选定波长的辐射透射的过滤器，能够调节被透射到晶片处理区的波长范围。

主权项

1.一种辐射源，用来发射用于加工半导体晶片的辐射，此辐射源包含：a)具有界定辐射发射区的二维表面的基电极；b)辐射透射电介质元件，它界定辐射发射区并由辐射发射区将它与基电极分隔开，用来将辐射从辐射发射区投射到晶片处理区；c)二维辐射透射矩阵电极，它与大致平行于基电极二维表面的平面中的透射元件接触，界定辐射发射区；d)用来激励基电极和矩阵电极的电源；e)用来将可离子化气体提供给辐射发射区的气体源，以便被建立在基电极与矩阵电极之间的场离子化；以及f)电源，用来激励基电极和矩阵电极，以便产生电场，导致辐射发射区中可离子化气体的准分子激发，从而产生由源发射的平坦图形辐射通过矩阵电极从源出射。