[发明专利]光耦合器件结构及其方法

摘要

本发明公开一种用于制造光栅部件的制造技术，其利用光刻胶的刻蚀性能，提供彼此接近的合乎需要的几何形状。这使得用于光耦合的光栅是可制造的并提供有效的耦合。使用SOI衬底方便地实现硅波导管，以便在硅下面的绝缘体提供一种材料，该材料邻近硅且具有比硅低的折射率。硅的顶面具有合乎需要的几何形状，导致其折射率比硅衬底的主体上的硅低。

主权项

1.一种探测光的方法，其包括：提供具有第一折射率的第一材料；在所述第一材料上提供第二材料，其中所述第二材料具有第二二折射率并且该第二折射率大于所述第一折射率；在所述第二材料中提供掺杂区；提供具有第三折射率的第三材料；在所述第三材料上淀积光刻胶层；构图所述光刻胶层以留下光刻胶图形；根据所述光刻胶图形刻蚀所述第三材料；除去光刻胶；露出至少部分第二材料和第三材料，以使光耦合到第二材料内，产生载流子；以及收集载流子。