[发明专利]在SiC衬底上形成的GaN基LED在审
| 申请号： | 02809205.8 | 申请日： | 2002-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN1505843A | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | D·T·埃默森;A·C·阿贝尔;M·J·伯格曼 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蔡胜有 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请公开了一种发光二极管。该二极管包括：具有第一导电类型的碳化硅衬底(21)；位于SiC衬底之上的、导电类型与衬底相同的第一氮化镓层(25)；在GaN层(27)上的、由选自GaN、InGaN和AlInGaN的多个交替层重复系列形成的超晶格；位于超晶格上、导电类型与第一GaN层相同的第二GaN层(30)；第二GaN层上的多量子阱(31)；多量子阱上的第三GaN层；位于第三GaN层(32)上、导电类型与衬底和第一GaN层相反的接触结构；对SiC衬底的欧姆接触；和对接触结构的欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | sic 衬底 形成 gan led | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，包括：具有第一导电类型的碳化硅衬底；所述SiC衬底之上、导电类型与所述衬底相同的第一氮化镓层；所述GaN层上、由选自GaN、InxGa1-xN其中0＜x＜1和AlxInyGa1-x-yN其中0＜x＜1；0＜y＜1；0＜x+y＜1的交替层的多个重复系列构成的超晶格；所述超晶格上、导电类型与所述第一GaN层相同的第二GaN层；所述第二GaN层上的多量子阱；所述多量子阱上的第三GaN层；所述第三GaN层上、导电类型与所述衬底和所述第一GaN层相反的接触结构；对所述SiC衬底的欧姆接触；和对所述接触结构的欧姆接触。
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