[发明专利]在SiC衬底上形成的GaN基LED在审
| 申请号： | 02809205.8 | 申请日： | 2002-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN1505843A | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | D·T·埃默森;A·C·阿贝尔;M·J·伯格曼 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蔡胜有 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sic 衬底 形成 gan led | ||
【权利要求书】：
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