[发明专利]碳化硅的等离子体刻蚀有效
| 申请号： | 02809053.5 | 申请日： | 2002-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN1522465A | 公开（公告）日： | 2004-08-18 |
| 发明（设计）人： | 李思义 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/768;H01L21/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 任宗华 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种以对上方和/或下方介电材料层的选择性等离子体刻蚀碳化硅的方法。介电材料可包含二氧化硅，氧氮化硅，氮化硅或各种低k介电材料包括有机低k材料。刻蚀气体包括含氯气体如Cl2，含氧气体如O2，和载体气体如Ar。为了实现对这些介电材料的所需选择性，选择等离子体刻蚀气体化学以实现所需的碳化硅刻蚀速率，同时介电材料在较慢的速率下被刻蚀。该工艺可用于选择性地刻蚀氢化碳化硅刻蚀光阑层或碳化硅基材。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 等离子体 刻蚀 | ||
【主权项】：
1.一种以对下方和/或上方介电材料的选择性等离子体刻蚀碳化硅层的方法，该方法包括：将半导体基材设置在反应器腔中，所述基材包括碳化硅层和下方和/或上方介电材料层；将刻蚀剂气体供给至腔，所述刻蚀剂气体包含含氯气体，含氧气体，和可有可无的载体气体；和将刻蚀剂气体激发成等离子体态和刻蚀碳化硅层中的开口，所述碳化硅层的刻蚀速率比介电材料的刻蚀速率快。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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