[发明专利]钨硅闸极选择性侧壁氧化期间最小化氧化钨蒸气沉积之方法无效
| 申请号： | 02808720.8 | 申请日： | 2002-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN1503987A | 公开（公告）日： | 2004-06-09 |
| 发明（设计）人： | S·弗里格;W·科格尔;J·－U·萨奇塞;M·斯塔德特米勒;R·哈伊恩;G·罗特斯;E·肖尔;O·斯托贝克 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司;马特森热力产品有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/321 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 章社杲 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在包含一多晶硅层以及一钨层之闸极结构之选择性氧化期间，其本身已知，氧化钨之蒸气沉积系借着一特殊处理被预防或至少大大地减少。闸极结构借着一含氢，非水溶液的惰性气体在一氢/水混合物之处理步骤之前，如果恰当，在之后来起作用。 | ||
| 搜索关键词： | 钨硅闸极 选择性 侧壁 氧化 期间 最小化 氧化钨 蒸气 沉积 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属化结构之选择性氧化的方法，特别系一闸极结构，其包含至少一硅层且特别是以多晶形式被氧化，以及至少一钨层，其不被氧化，在该方法中-该金属化结构系在一处理步骤中以一氢气与水之混合物来起作用，其中热被供给，其中-在处理步骤之前，如果恰当，在处理步骤之后，该金属化结构系以一非水溶液的含氢基质起作用，特别是纯氢气或一氢/惰性气体混合物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于因芬尼昂技术股份公司;马特森热力产品有限责任公司，未经因芬尼昂技术股份公司;马特森热力产品有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02808720.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：注入有金属物质的蚀刻阻挡层的金属栅极叠层构造
- 下一篇：无凸点半导体器件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
