[发明专利]形成光刻用防反射膜的组合物有效
| 申请号： | 02807941.8 | 申请日： | 2002-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN1502062A | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | 岸冈高广;荒濑慎哉;水泽贤一 | 申请（专利权）人： | 日产化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11;H01L21/027;C09D201/02;C09D5/00;C09D179/04;H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;刘金辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在制造半导体器件的光刻过程中使用的形成防反射膜的组合物，其以一种树脂为组分，该树脂包含由三聚氰酸、三聚氰酸衍生物或三聚氰酸及三聚氰酸衍生物衍生的结构单元。该结构单元优选用下式(1)表示，可包含在树脂的主链、侧链以及主链和侧链双方上。由本发明的形成防反射膜的组合物得到的光刻用防反射膜，防反射膜效果高，与抗蚀剂层不发生混合，可得到优异的抗蚀剂图案，并具有比抗蚀剂更大的干蚀刻选择性。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 光刻 反射 组合 | ||
【主权项】：
1.一种在制造半导体器件的光刻过程中使用的形成防反射膜的组合物，其以一种树脂为组分，该树脂包含由三聚氰酸、三聚氰酸衍生物或三聚氰酸及三聚氰酸衍生物衍生的结构单元。
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