[发明专利]半导体记忆装置的选择装置无效
| 申请号： | 02803932.7 | 申请日： | 2002-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN1488144A | 公开（公告）日： | 2004-04-07 |
| 发明（设计）人： | H·H·维赫曼恩 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C7/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本案是为关于半导体记忆装置的选择装置的发明。本发明的目标在于避免由半导体记忆装置(1)的行复用器(10)中的读取电流所造成的电压下降。为了达到此目标，此选择装置(10)的切换装置(12)乃包含两个切换组件(T1、T2)。本发明的特征更在于联合的位线(4)可透过该第一与第二切换组件(T1、T2)而与个别联合的感测放大器(20)的一电位取样连接(22)或是一电流馈送连接(24)相连。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 记忆 装置 选择 | ||
【主权项】：
1.一半导体记忆装置的选择装置，对每个可选择的存取线装置(4，6)而言，特别是对每个位线装置(4)而言，其具有一个别联合的切换装置(12)，系用以存取与个别可选择的存取线装置(4、6)相连接的半导体记忆装置(1)的记忆区域(2)中的储存组件(3)，-其中该切换装置(12)可依据选择而控制性地把该个别联合的存取线装置(4、6)连至一感测放大器装置(20)，尤其是连至该感测放大器装置(20)上的一电位感测连接(22)，以便检测个别存取线装置(4、6)的电位并且连至该感测放大器装置(20)的一电流供应连接(24)，以便提供一辅助电流(Icomp、Isense)至该个别存取线装置(4、6)，其特征在于，每个切换装置(12)分别具有一第一与一第二切换组件(T1、T2)，在运作期间中，该第一切换组件(T1)可把该联合的存取线装置(4、6)连至该感测放大器装置(20)上的该电位感测连接(22)，以及在运作期间中，该第二切换组件可把该联合的存取线装置(4、6)连至该感测放大器装置(20)上的该电流供应连接(24)。
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