[实用新型]具有碳纳米管结构的单电子存储器

摘要

本实用新型涉及一种具有碳纳米管结构的单电子存储器。该器件包括在衬底上刻蚀加工而成一根纳米线和控制栅；所述的纳米线一端是方块状的数据线引脚，纳米线的两侧有两个与纳米线两边平行的纳米线控制栅，其特征在于还包括纳米线延长部分作为存储单元和一碳纳米管晶体管；该纳米线比控制栅长的部分延伸到在衬底上刻蚀加工而成的两电极区之间。通过控制几十个甚至几个电子就可以实现存储器的正常工作，并且不受随机背景电荷的影响，解决了传统存储器发展中所面临的稳定性、功耗、散热和栅极漏电电流等若干方面的问题，可以实现低功耗下信息的超高密度存储。

主权项

1.一种具有碳纳米管结构的单电子存储器，包括：在衬底上刻蚀加工而成一根纳米线和控制栅；所述的纳米线一端是方块状的数据线引脚，纳米线的两侧有两个与纳米线两边平行的纳米线控制栅，其特征在于：还包括纳米线延长部分作为存储单元和一碳纳米管晶体管；该纳米线比控制栅长的部份延伸到在衬底上刻蚀加工而成的两电极区之间。