[发明专利]三维存储器之只读存储元无效
| 申请号： | 02150106.8 | 申请日： | 1998-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN1485925A | 公开（公告）日： | 2004-03-31 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 张国飙 |
| 主分类号： | H01L27/112 | 分类号： | H01L27/112 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610051四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种只读存储元。多个只读存储元通过多根选址线相连，组成一个存储层。多个存储层在衬底上相互重叠。这些存储元可以是掩模编程的或场编程的。由于只读存储元分布在三维空间中，存储器的存储密度和存储容量可极大提高。三维存储器可以广泛地应用在很多领域。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 只读 存储 | ||
【主权项】：
1.一种只读存储元，其特征在于具有：含有金属材料的第一电极(501)；含有金属材料的第二电极(503)；以及在所述第一电极和第二电极之间的准导通膜(502)，当存储元上的电压等于读电压时，所述准导通膜电阻较小，当存储元上的电压小于读电压时，其电阻较大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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