[发明专利]增加原子层沉积速率的方法

摘要

一种增加原子层沉积速率的方法。首先，提供一基底于一原子层沉积反应室中，通过第一反应气体入口导入第一反应气体，使第一反应气体化学吸附于基底上；然后，导入惰性气体来吹净原子层沉积反应室内部，但仍残留部分第一反应气体于原子层沉积反应室中；接着，通过第二反应气体入口导入第二反应气体，使第二反应气体与吸附于基底上的第一反应气体产生化学反应，并且同时地第二反应气体与残留的第一反应气体产生化学反应，因而形成一化合物层于基底上；之后，导入惰性气体来吹净原子层沉积反应室内部，但仍残留部分第二反应气体于原子层沉积反应室中。

主权项

1、一种增加原子层沉积速率的方法，其特征在于：它包括下列步骤：(a)提供一基底于一原子层沉积反应室中，该原子层沉积反应室至少具有一惰性气体入口、一第一反应气体入口、一第二反应气体入口与一排气口，该惰性气体入口导入惰性气体来吹净该原子层沉积反应室内部，该排气口具有一节流阀；(b)通过该第一反应气体入口导入第一反应气体，使第一反应气体化学吸附于该基底上；(c)导入惰性气体来吹净该原子层沉积反应室内部，但仍残留部分第一反应气体于该原子层沉积反应室中；(d)通过该第二反应气体入口导入第二反应气体，使第二反应气体与吸附于该基底上的第一反应气体产生化学反应，并且同时第二反应气体与残留的第一反应气体产生化学反应，因而形成一化合物层于该基底上；(e)导入惰性气体来吹净该原子层沉积反应室内部，但仍残留部分第二反应气体于该原子层沉积反应室中。