[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 02147249.1 | 申请日： | 2002-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN1438710A | 公开（公告）日： | 2003-08-27 |
| 发明（设计）人： | 上野修一;古田阳雄;久家重博;加藤宏 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/088 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰,王忠忠 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题是，提供包含具有接近于理想的二极管特性的电流电压特性的MISFET结构的二极管的半导体装置。在氧化硅膜4a～4c间的氮化硅膜4b中的漏区2一侧俘获负电荷(例如电子)8a。如果以这种方式俘获负电荷8a并感应沟道内电荷9a，则在漏、源间施加了偏置电压时，MISFET的沟道形成的阈值根据是正向偏置还是反向偏置而不同。即，在反向偏置时，沟道的形成是不充分的，难以流过源、漏间电流，另一方面，在正向偏置时，沟道被充分地形成，容易流过源、漏间电流。由此，可得到接近于理想二极管特性的电流电压特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于：具备包含在半导体衬底上形成的栅绝缘膜、在上述栅绝缘膜上形成的栅电极和在上述半导体衬底的主表面内以夹住上述栅绝缘膜的方式形成的漏区和源区的MISFET(金属-绝缘体-半导体场效应晶体管)，在不施加电压时，在上述栅绝缘膜下的上述半导体衬底内的沟道形成区中存在沟道内电荷，在上述沟道形成区中的上述漏区一侧和上述源区一侧，上述沟道内电荷的导电型和电荷量的至少一方不同，上述栅电极与上述漏区已被短接。
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