[发明专利]氮化镓系发光二极管的结构及其制造方法有效
| 申请号： | 02146269.0 | 申请日： | 2002-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN1490886A | 公开（公告）日： | 2004-04-21 |
| 发明（设计）人： | 蓝文厚;陈隆建;简奉任 | 申请（专利权）人： | 璨圆光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京银龙专利代理有限公司 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种氮化镓系发光二极管的结构及其制造方法。首先，提供一基板，然后，形成一氮化镓系半导体叠层于基板上，此氮化镓系半导体叠层由下至上依序堆叠有一N型氮化镓系接触层、一发光堆叠层及一P型氮化镓系接触层。接着，形成一数字穿透层于P型氮化镓系接触层上，再以干蚀刻法向下依序蚀刻数字穿透层、P型氮化镓系接触层、发光堆叠层、N型氮化镓系接触层并终止于N型氮化镓系接触层内，以形成一N－金属(N－Metal)形成区。接下来，分别形成一第一欧姆接触电极于P型氮化镓系接触层上以作为P型欧姆接触用，一第二欧姆接触电极于N－金属形成区之上以作为N型欧姆接触用。最后，同时在第一欧姆接触电极及第二欧姆接触电极上分别各形成一焊接垫。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 发光二极管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓系发光二极管的结构，其特征是包括一基板；一氮化镓系半导体叠层，形成于该基板上，该氮化镓系半导体叠层具有一第一上表面与一第二上表面，其中，该第一上表面与该不导电基板间的距离大于该第二上表面与该基板间的距离；一数字穿透层，其对于波长介于380毫微米(nm)到560毫微米间的光线具有大于80％的穿透率，且于其内可利用载子穿透效应以进行载子穿透；一第一欧姆接触电极，形成于该第一上表面上用以作为P型欧姆接触用；及一第二欧姆接触电极，形成于该第二上表面上用以作为N型欧姆接触用。
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