[发明专利]晶圆的清洗液成分及其清洗方法有效
| 申请号： | 02146203.8 | 申请日： | 2002-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN1426094A | 公开（公告）日： | 2003-06-25 |
| 发明（设计）人： | 杨任伟;罗泽源 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/465 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种晶圆的清洗液成分及其清洗方法，清洗液成分包含有第一酸、氧化剂、第二酸及去离子水，第一酸用以移除残留于硅晶圆表面的铜金属；氧化剂用以氧化硅晶圆表面形成一浅氧化层，并氧化残留于硅晶圆边缘的阻障金属；第二酸用以移除浅氧化层以及残留于硅晶圆边缘的氧化阻障金属。具有洗去或溶解晶圆表面上的铜残留，并移除穿透晶圆表面而固着于晶圆浅表面内的铜原子及有效去除残留于晶圆边缘的铜原子以及TaN等阻障金属的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 成分 及其 方法 | ||
【主权项】：
1、一种晶圆的清洗液成分，其特征是：它包含有第一酸、氧化剂、第二酸及去离子水，该第一酸用以移除残留于硅晶圆表面的铜金属一氧化剂，该氧化剂用以氧化硅晶圆表面形成一浅氧化层，并氧化残留于硅晶圆边缘的阻障金属；该第二酸用以移除该浅氧化层以及残留于硅晶圆边缘的氧化阻障金属。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02146203.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：环保食品容器的制法
- 下一篇：差分通信系统、差分通信装置与差分通信程序及方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
