[发明专利]半导体发光元件和半导体发光装置有效
| 申请号： | 02142952.9 | 申请日： | 2002-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN1409414A | 公开（公告）日： | 2003-04-09 |
| 发明（设计）人： | 幡俊雄;山本健作;笔田麻佑子;辰巳正毅 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒,魏晓刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体发光元件和半导体发光装置，该半导体发光元件是一种氮化镓化合物半导体发光元件，其具有形成在半透明衬底(1)上的氮化物层状体(2、3)。P型焊点电极(5)、N型焊点电极(6)和P型电极(4)形成在层状体上，每个电极具有所需的反射率。半导体发光元件的半透明衬底(1)和叠置其上的氮化物层状体(2、3)的厚度为60μm到460μm。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，该元件具有按所述顺序形成在半透明衬底上的N型半导体层、发光层、P型半导体层和P型电极，并安装在衬底一侧上，其中，所述P型电极具有55％到100％的反射率。
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