[发明专利]高压互补式金氧半导体的制造方法

摘要

本发明是公开一种高压互补式金氧半导体的制造方法，其是可顺利整合于使用浅沟隔离的深次微米制程中。此制造方法是在一半导体基底上先后形成一掺杂井区及一浅沟隔离结构，然后再于半导体基底上依序形成一氧化硅层、栅极结构与作为源/漏极的离子掺杂区域，如此即可完成高压互补饰金氧半导体的制作。因此，本发明不但可缩小整体面积，且较不易有电场集中点，崩溃电压必为较高，再者本发明的漂移区域的长度减少，使得信道的导通电阻降低，进而增加晶体管的电流。

主权项

1、一种高压互补式金氧半导体的制造方法，其特征是包括下列步骤：提供一半导体基底，其上是形成有掺杂井区，此即作为高压组件的漂移区域；在该基底表面形成一垫氧化层及一氮化物层；于该氮化物层表面形成一图案化光阻，并以该图案化光阻为屏蔽，进行蚀刻，于该基底内形成浅沟渠，再于该基底上沉积一氧化层，填满该浅沟渠以形成浅沟隔离；去除部份该氧化层，并使其平坦化；在该掺杂井区表面的该氧化层上形成一接触窗；于该接触窗内成长一硅磊晶层，再经过一高温氧化步骤，将该硅磊晶层氧化成一氧化硅层；去除该垫氧化层、该氮化物层及表面的氧化层；形成一栅极结构在该基底表面；以及于该栅极结构及该氧化硅层二侧的该基底内进行离子植入步骤，以形成源极及漏极。