[发明专利]具有浮置栅的半导体器件及其制造方法

摘要

具有浮置栅的半导体存储器的制造方法具备在半导体衬底上边形成元件隔离区和栅绝缘膜；在上述元件隔离区和上述棚绝缘膜上边形成第1栅极材料；在上述元件隔离区上边隔离第1栅极材料，留下上述第1栅极材料从而形成第1栅电极；在上述元件隔离区上边，形成宽度比隔离后的上述第1栅电极间的宽度要窄的凹部；在上述元件隔离区上边凹部端部的上述第1栅电极下的上述元件隔离区形成坑洼；在上述元件隔离区的凹部和上述第1栅电极上边形成栅间绝缘膜埋入上述元件隔离区的坑洼；以及在该栅间绝缘膜上边形成第2栅电极。

主权项

1、一种具有至少一个浮置栅的半导体存储器，其特征是具备：半导体衬底；埋入该半导体衬底内的至少一个元件隔离区，其表面比半导体衬底表面突出，其上面形成有凹部，该凹部的上端形成有坑洼；上述半导体衬底上边形成的栅绝缘膜，该栅绝缘膜上边、上述元件隔离区上面和坑洼上边形成的第1栅极，该第1栅极上边而且在上述元件隔离区的凹部和坑洼内形成的栅间绝缘膜；以及在该栅间绝缘膜上边形成并埋入上述元件隔离区的凹部的第2栅极。