[发明专利]在低介电常数材料层中形成开口的方法

摘要

一种在低介电常数材料层中形成开口的方法。依序在具有金属线的基底上形成盖层、第一介电层、蚀刻阻挡层、第二介电层、CMP阻挡层、金属硬罩幕层、硬罩幕层、以及BARC层，在定义硬罩幕层以及金属硬罩幕层以形成一第一开口以后，在硬罩幕层上形成一种液态充填材料层并填满第一开口，用一层定义过的光阻层作为罩幕定义充填材料层以及低介电常数介电层，以得到一个第二开口，将光阻层随着充填材料一并移除以后，利用金属硬罩幕层以及硬罩幕层作为罩幕，盖层为蚀刻阻挡层，以形成一个镶嵌开口。

主权项

1.一种在低介电常数材料层中形成开口的方法，其特征是，该方法包括下列步骤：提供一基底，含有一金属导线；依序在具有该基底上形成一盖层、一第一介电层、一第一阻挡层、一第二介电层、一第二阻挡层、一金属硬罩幕层、一硬罩幕层、以及一抗反射层，其中该第一与该第二介电层为低介电常数的介电层；形成一定义过的第一光阻层于该抗反射层上，以定义该RARC层、该硬罩幕层以及该金属硬罩幕层，因而形成一第一开口以暴露出该第一阻挡层；移除该第一光阻层与该抗反射层；形成一充填材料层于该硬罩幕层上并填满该第一开口；形成一定义过的第二光阻层于该充填材料层上，用以定义该充填材料层、该第二阻挡层、该第二介电层以及该第一阻挡层，因而形成一第二开口而暴露出该第一介电层；移除该第二光阻层与该充填材料层；以该金属硬罩幕层以及该硬罩幕层作为一罩幕，进行一非等向性蚀刻步骤，以形成一个镶嵌开口，其中该镶嵌开口会暴露出该盖层；以及移除暴露的该盖层，以暴露出下层的该金属导线。