[发明专利]金氧半导体晶体管的制造方法

摘要

本发明揭露一种金氧半导体(MOS)晶体管的制造方法。此方法系于源极/漏极区域形成前，先于硅基板表面沉积一遮蔽层。此遮蔽层以均一的厚度覆盖基板上的栅极电极及场氧化层或浅隔离沟渠。接着，对硅基板进行高浓度的离子植入，并控制其能量使离子无法穿透栅极电极侧壁的遮蔽层。而在去除此遮蔽层之后，再对此硅基板进行低浓度的离子掺杂。依此方式，将可利用较少的工艺步骤形成具有LDD的MOS晶体管。

主权项

1.一种金氧半导体晶体管的制造方法，其特征在于，包含下列步骤：于一基板上形成一栅极氧化层、一栅极电极及一场氧化层；于该基板上沉积一层遮蔽层，此遮蔽层以均一的厚度覆盖该栅极电极、该场氧化层及该基板表面，其中，此遮蔽层会于该栅极电极侧形成侧壁区域，此侧壁区域的遮蔽层厚度会大于该均一厚度；于该基板上形成一阻剂图案，对该基板进行离子植入以形成高掺杂区域，其中，该离子植入的能量控制在使离子无法穿透该侧壁区域的遮蔽层；移除未被该阻剂图案覆盖的该遮蔽层；对该基板进行离子植入以形成轻微掺杂区域；以及移除该阻剂图案及残留的该遮蔽层。