[发明专利]半导体器件和半导体存储器件的检测方法无效
| 申请号： | 02140029.6 | 申请日： | 2002-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN1438688A | 公开（公告）日： | 2003-08-27 |
| 发明（设计）人： | 国清辰也;永久克己;山下恭司;海本博之;小林睦;大谷一弘 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明,叶恺东 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 获得一种具有能够高精度地测定电容值的CBCM用电路的半导体器件。构成CBCM用电路的MOS晶体管具有以下结构。亦即，在主体区16的表面内选择地形成源·漏区4、4’，分别形成从相互对置的源·漏区4、4’的前端部延伸的延伸区5、5’。在包含延伸区5、5’的源·漏区4、4’之间的上面形成栅绝缘膜7，在栅绝缘膜7上形成栅电极8。但是，在延伸区5(5’)的前端部和延伸区5的周边部，不形成相当于比沟道区的杂质浓度更高的已有结构的小袋区6(6’)的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 半导体 存储 器件 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，具有在半导体衬底中形成的绝缘栅型晶体管，用于构成CBCM(基于电荷的电容测量)用电路，其特征在于，所述绝缘栅型晶体管包括：在所述半导体衬底上选择地形成的栅绝缘膜、在所述栅绝缘膜上形成的栅电极、夹持所述半导体衬底表面内的所述栅电极下的第一导电类型的主体区而形成的第二导电类型源·漏区；所述主体区，在所述源·漏区的附近区域，具有与非附近区域相同的杂质浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
