[发明专利]利用电沉积技术制备可调电子和光子带隙的三维半导体量子点光子晶体的方法无效
| 申请号： | 02137805.3 | 申请日： | 2002-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN1387069A | 公开（公告）日： | 2002-12-25 |
| 发明（设计）人： | 徐岭;张宇;黄信凡;陈坤基;徐骏;李伟;李明海;马懿 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01;G02F1/015 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 利用电沉积技术制备可调电子和光子带隙的三维半导体量子点光子晶体的方法由胶体化学方法制备II－VI族半导体CdSe、CdS或ZnO等量子点,得到单分散性高的电子带隙可调的半导体量子点;用胶体化学方法,分别通过正硅酸乙酯水解和苯乙烯单体聚合制备尺寸在200－400纳米的溶胶SiO2和PS小球;通过自然沉积法,由溶胶SiO2和PS小球自组织晶化,沉积在ITO导电玻璃上制备成三维光子晶体模板;然后用电沉积法将半导体量子点填充入PS模板。本发明方法得到的CdSe等光子晶体的电子带隙可调,使其覆盖可见光范围,本发明材料在器件应用上有了更为广泛的空间。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 沉积 技术 制备 可调 电子 光子 三维 半导体 量子 晶体 方法 | ||
【主权项】：
1、利用电沉积技术制备可调电子和光子带隙的三维半导体量子点光子晶体的方法：其特征是由胶体化学方法制备II-VI族半导体CdSe、CdS或ZnO等量子点，得到单分散性高的电子带隙可调的半导体量子点；用胶体化学方法，分别通过正硅酸乙酯水解和苯乙烯单体聚合制备尺寸在200-400纳米的溶胶SiO2和PS小球；通过自然沉积法，由溶胶SiO2和PS小球自组织晶化，沉积在ITO导电玻璃上制备成三维光子晶体模板；然后用电沉积法将半导体量子点填充入PS模板。
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