[发明专利]透明的n-型氧化锌/p-型金刚石薄膜异质结及其制备无效
申请号: | 02132902.8 | 申请日: | 2002-09-08 |
公开(公告)号: | CN1409410A | 公开(公告)日: | 2003-04-09 |
发明(设计)人: | 王成新;高春晓;刘洪武;韩永昊;骆继峰;申彩霞;邹广田 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | H01L31/072 | 分类号: | H01L31/072;H01L29/737;H01L31/18;H01L21/00 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 | 代理人: | 王恩远 |
地址: | 130012*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明的透明的n-型氧化锌/p-型金刚石薄膜异质结及其制备属一种透明p-n结及其制备方法。以金刚石单晶为衬底(5),工艺过程包括衬底的清洗(10)、p-型金刚石单晶薄膜的沉积(11)、p-型金刚石单晶薄膜的化学处理(12)、金刚石薄膜的欧姆电极制作(13)、n-型氧化锌多晶薄膜(3)的选择性沉积(14)、氧化锌薄膜的欧姆电极的制作(15)。沉积p-型金刚石单晶薄膜(1)时放置硼源;金刚石薄膜的欧姆电极(2)是顺序沉积的钛、钼、金薄膜;氧化锌薄膜的欧姆电极(4)是金膜。本发明的制备工艺简单易于实现,而且本发明的异质结具有良好的伏-安特性、光学透明性和抗高温特性;电极的欧姆接触性能好并且牢固。 | ||
搜索关键词: | 透明 氧化锌 金刚石 薄膜 异质结 及其 制备 | ||
【主权项】:
1、一种透明的n-型氧化锌/p-型金刚石薄膜异质结,其特征在于,由p-型金刚石单晶薄膜(1)、金刚石薄膜的欧姆电极(2)、n-型氧化锌多晶薄膜(3)、氧化锌薄膜的欧姆电极(4)构成;p-型金刚石单晶薄膜(1)制作在金刚石单晶衬底(5)上;金刚石薄膜的欧姆电极(2)和n-型氧化锌多晶薄膜(3)相互隔离制作在p-型金刚石单晶薄膜(1)上;n-型氧化锌多晶薄膜(3)上面有氧化锌薄膜的欧姆电极(4);所说的金刚石薄膜的欧姆电极(2)是钛、钼、金的多层膜,氧化锌薄膜的欧姆电极(4)是金膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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