[发明专利]三维集成存储器有效
| 申请号： | 02131089.0 | 申请日： | 2002-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1412850A | 公开（公告）日： | 2003-04-23 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 张国飙 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L27/00;H01L21/66;H01L27/112;H01L23/525 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610051 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在三维集成存储器(3DiM)中，三维存储器(3D－M)与常规的可读可写存储器和/或数据处理器集成在一个芯片上。3DiM的整体性能(如速度、成品率、可编程性和数据的安全性)远较分离(standalone)的3D－M优良。本发明提出了多种提高3D－M可集成性的方法。3DiM的一重要应用领域为集成电路测试载有测试数据的3D－M可以与被测试电路集成在一起，从而实现现场自测试和同速测试。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 集成 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种三维集成存储器，其特征在于含有：一衬底电路(0s)，所述衬底电路(0s)含有一衬底集成电路(0SC)和一第一地址解码器(12，18/70)，该衬底集成电路(0SC)含有一嵌入式可读可写存储器(82)和/或一嵌入式数据处理器(88)；一三维存储器(0)，该三维存储器(0)的至少一三维存储层(100)堆叠在该衬底电路(0s)上方，所述三维存储层(100)通过多个接触通道口(20v)与所述第一地址解码器相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
