[发明专利]半导体器件栅凹槽与N+凹槽自对准加工方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件栅凹槽与N+凹槽自对准加工方法,它涉及半导体器件的工艺制备方法。它采用普通的工艺设备,采用一次光刻、两次腐蚀介质的工艺过程,制造得到栅凹槽自动位于N+凹槽的中心,达到栅凹槽与N+凹槽二者自对准的加工目的。使常规工艺流程中两次光刻、套刻对准简化为一次光刻,降低了工艺难度和降低了加工成本,同时提高了成品率。本发明既能保证半导体器件有较高的击穿电压,又能保证半导体器件有较高的增益、输出功率和工作频率,大大提高了器件的性能。特别适用于大圆片半导体器件的生产制造,可推广应用。

主权项

1、一种半导体器件栅凹槽与N+凹槽自对准加工方法，其特征在于它包含的加工步骤有：在砷化镓(1)衬底的N+层(8)上用100℃至200℃生长温度淀积一层氮化硅(4)膜，氮化硅(4)膜上用250℃至350℃生长温度淀积一层氮化硅(5)膜，氮化硅(5)膜上涂一层光刻胶(6)；用一块掩模版放在光刻胶(6)上，对位曝光显影，光刻胶(6)上曝光显影出所需尺寸的光刻胶窗口；反应离子刻蚀光刻胶(6)上窗口内的氮化硅(5)膜和氮化硅(4)膜，将光刻胶(6)上的窗口复印到氮化硅(5)、氮化硅(4)层上，露出砷化镓(1)衬底的N+层(8)；用砷化镓腐蚀液，腐蚀砷化镓(1)衬底上的N+层(8)凹槽(3)至所需深度；用氢氟酸腐蚀液腐蚀氮化硅(4)的窗口，将其扩展至所需的宽度尺寸(9)；再用砷化镓腐蚀液腐蚀砷化镓(1)凹槽至所需深度，形成砷化镓(1)上的凹槽(2)；在砷化镓(1)片上垂直蒸发势垒金属膜(7)，剥离掉氮化硅(5)上光刻胶(6)及光刻胶(6)上的势垒金属膜(7)，得到带有栅金属条的栅凹槽与N+凹槽自对准的凹槽图形。