[发明专利]具有单壁碳纳米管结构的“与”门逻辑器件及其制作方法

摘要

本发明涉及一种以单壁碳纳米管为基础的“与”门逻辑器件，该逻辑器件由一单壁碳纳米管、两个独立的栅极和三个独立的栅极构成。中间电极加恒定偏压并作为输出端，另外两个电极接地。利用两个栅极为输入端，用来控制单壁碳纳米管截止或导通，从而实现了逻辑“与”运算。与其它单壁碳纳米管逻辑电路相比，本发明结构简单，且易于制作。

主权项

1.一种具有单壁碳纳米管结构的“与”门逻辑器件，包括：Si衬底，在该Si衬底上设有SiO2绝缘层，单壁碳纳米管、栅极、电极和外电路中的电阻；其特征在于：所述的栅极包括两个独立的栅极，栅极由在该Si衬底上设置的沟槽内沉积Al及经表面氧化形成的Al2O3绝缘层构成；所述的电极包括3个，电极设置在一根单壁碳纳米管之上或之下；栅极和电极相间平行排列；一根单壁碳纳米管平直放置在SiO2绝缘层的表面上，与栅极的Al2O3绝缘层表面以及电极的贵金属层表面相接触；第一电极与第二电极接地，第二电极与衬底上或外电路中的电阻相连。